Справочник MOSFET. IRF2807L

 

IRF2807L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2807L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRF2807L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2807L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  international rectifier
irf2807spbf irf2807lpbf.pdfpdf_icon

IRF2807L

PD - 95945IRF2807SPbFIRF2807LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 13ml Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 82ADescriptionSAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques

 ..2. Size:272K  international rectifier
irf2807lpbf irf2807spbf.pdfpdf_icon

IRF2807L

PD - 95945IRF2807SPbFIRF2807LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 13ml Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 82ADescriptionSAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques

 ..3. Size:256K  inchange semiconductor
irf2807l.pdfpdf_icon

IRF2807L

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807LFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 75

 7.1. Size:399K  international rectifier
irf2807zpbf irf2807zspbf irf2807zlpbf.pdfpdf_icon

IRF2807L

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

Другие MOSFET... IRF143 , IRF150 , IRF151 , IRF153 , IRF230 , IRF240 , IRF250 , IRF2807 , P0903BDG , IRF2807S , IRF3205 , IRF3205L , IRF3205S , IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S .

 

 
Back to Top

 


 
.