PK5G6EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK5G6EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 659 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK5G6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5G6EA даташит

 ..1. Size:818K  unikc
 pk5g6ea.pdf pdf_icon

PK5G6EA

PK5G6EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.4m @VGS = 10V 20V 87A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 12 V TC = 25 C 87 ID Continuous Drain Current4 TC = 100 C

 ..2. Size:254K  niko-sem
 pk5g6ea.pdf pdf_icon

PK5G6EA

N-Channel Enhancement Mode PK5G6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.4m 24V 87A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching

Другие IGBT... PA610NV, PB5A2BA, PB5G2JU, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, IRF640, PB210BC, PB210BD, PB210BI, PB210BM, PB210BTF, PB210BV, PB210HV, PK510BA