PK5G6EA - аналоги и даташиты транзистора

 

PK5G6EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK5G6EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 659 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P

 Аналог (замена) для PK5G6EA

 

PK5G6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  unikc
 pk5g6ea.pdf pdf_icon

PK5G6EA

PK5G6EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.4m @VGS = 10V 20V 87A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 12 V TC = 25 C 87 ID Continuous Drain Current4 TC = 100 C

 ..2. Size:254K  niko-sem
 pk5g6ea.pdf pdf_icon

PK5G6EA

N-Channel Enhancement Mode PK5G6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.4m 24V 87A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching

Другие MOSFET... PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , IRF640 , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA .

History: IXFR48N50Q

 

 
Back to Top

 


 
.