Справочник MOSFET. PK5G6EA

 

PK5G6EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK5G6EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 659 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK5G6EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5G6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  unikc
 pk5g6ea.pdf pdf_icon

PK5G6EA

PK5G6EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.4m @VGS = 10V20V 87A100% UIS Tested100% Rg TestedPDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 12 VTC = 25 C87IDContinuous Drain Current4TC = 100 C

 ..2. Size:254K  niko-sem
 pk5g6ea.pdf pdf_icon

PK5G6EA

N-Channel Enhancement Mode PK5G6EANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.4m 24V 87A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching

Другие MOSFET... PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , IRFP460 , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA .

History: S45N17RP | HUFA75637S3ST | NCEAP025N60AG | IRFS624A | S60N15S | PE848DU | IRF250SMD

 

 
Back to Top

 


 
.