Справочник MOSFET. PB210BD

 

PB210BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB210BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PB210BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB210BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  unikc
 pb210bd.pdf pdf_icon

PB210BD

PB210BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18EA

 ..2. Size:906K  cn vbsemi
 pb210bd.pdf pdf_icon

PB210BD

PB210BDwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

 8.1. Size:372K  unikc
 pb210btf.pdf pdf_icon

PB210BD

PB210BTF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 230m @VGS = 10V 8ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18E

 8.2. Size:456K  unikc
 pb210bv.pdf pdf_icon

PB210BD

PB210BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 2.1ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C2.1IDContinuous Drain Current1TA = 70 C1.7AIDM17Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , IRFP260N , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , PK516BA .

History: LSD60R170GT | 2N4118 | H7N1004DS | MTN4410V8 | LSB60R030HT | HGP039N15M | DMN3005LK3

 

 
Back to Top

 


 
.