PB210BM - аналоги и даташиты транзистора

 

PB210BM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB210BM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PB210BM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB210BM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  unikc
 pb210bm.pdf pdf_icon

PB210BM

PB210BMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 1.3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C1.3IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C0.8AIDM18Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 1

 8.1. Size:383K  unikc
 pb210bd.pdf pdf_icon

PB210BM

PB210BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18EA

 8.2. Size:372K  unikc
 pb210btf.pdf pdf_icon

PB210BM

PB210BTF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 230m @VGS = 10V 8ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18E

 8.3. Size:456K  unikc
 pb210bv.pdf pdf_icon

PB210BM

PB210BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 2.1ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C2.1IDContinuous Drain Current1TA = 70 C1.7AIDM17Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , IRFP260N , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , PK516BA , PK527BA , PK552DX .

History: IPD25CN10N | LSG80R980GT | AP4430GM-HF | SFG10S08DF | WM02P40M3 | PNMTO600V8

 

 
Back to Top

 


 
.