Справочник MOSFET. IRF2807S

 

IRF2807S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2807S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF2807S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2807S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  international rectifier
irf2807spbf irf2807lpbf.pdfpdf_icon

IRF2807S

PD - 95945IRF2807SPbFIRF2807LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 13ml Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 82ADescriptionSAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques

 ..2. Size:272K  international rectifier
irf2807lpbf irf2807spbf.pdfpdf_icon

IRF2807S

PD - 95945IRF2807SPbFIRF2807LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 13ml Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 82ADescriptionSAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques

 ..3. Size:124K  international rectifier
irf2807s.pdfpdf_icon

IRF2807S

PD - 94170IRF2807SIRF2807LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13m Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 82A DescriptionSAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low o

 ..4. Size:258K  inchange semiconductor
irf2807s.pdfpdf_icon

IRF2807S

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... IRF150 , IRF151 , IRF153 , IRF230 , IRF240 , IRF250 , IRF2807 , IRF2807L , 5N65 , IRF3205 , IRF3205L , IRF3205S , IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 .

 

 
Back to Top

 


 
.