Справочник MOSFET. PB560DZ

 

PB560DZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB560DZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X3S
 

 Аналог (замена) для PB560DZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB560DZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  unikc
 pb560dz.pdf pdf_icon

PB560DZ

PB560DZDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 4.5V20V 7.8APDFN 2X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA= 25 C7.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6.2AIDM40Pulsed Drain

Другие MOSFET... PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , IRFP260 , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA .

History: AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2 | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.