PB560DZ - описание и поиск аналогов

 

PB560DZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PB560DZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X3S

Аналог (замена) для PB560DZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB560DZ даташит

 ..1. Size:415K  unikc
 pb560dz.pdf pdf_icon

PB560DZ

PB560DZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 26m @VGS = 4.5V 20V 7.8A PDFN 2X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA= 25 C 7.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6.2 A IDM 40 Pulsed Drain

Другие MOSFET... PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , 2SK3878 , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA .

History: MTH6N55

 

 

 

 

↑ Back to Top
.