PB606BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PB606BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB606BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB606BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB606BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  unikc
 pb606ba.pdf pdf_icon

PB606BA

PB606BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V30V 7.8A100%RG TESTPDFN 2X2S 100%UIL TESTABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C7.8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C6.2A

 8.1. Size:238K  niko-sem
 pb606bx.pdf pdf_icon

PB606BA

PB606BXN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 18m 7.3AGG : GATE D : DRAIN S : SOURCE S100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Sourc

Другие MOSFET... PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , K3569 , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY .

History: SWSI4N60DA | PE506BA

 

 
Back to Top

 


 
.