Справочник MOSFET. IRF3205L

 

IRF3205L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3205L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 146(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3205L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  international rectifier
irf3205spbf irf3205lpbf.pdfpdf_icon

IRF3205L

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

 ..2. Size:280K  international rectifier
irf3205lpbf irf3205spbf.pdfpdf_icon

IRF3205L

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

 7.1. Size:379K  international rectifier
irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdfpdf_icon

IRF3205L

PD - 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

 7.2. Size:330K  international rectifier
auirf3205zstrl.pdfpdf_icon

IRF3205L

PD - 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

Другие MOSFET... IRF153 , IRF230 , IRF240 , IRF250 , IRF2807 , IRF2807L , IRF2807S , IRF3205 , 13N50 , IRF3205S , IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L .

 

 
Back to Top

 


 
.