PE610SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PE610SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 407 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE610SA
PE610SA Datasheet (PDF)
pe610sa.pdf

PE610SAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3m @VGS = 10V30V 62APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C62TC = 100 C39IDContinuous Drain Current3TA = 25 C24ATA= 70
pe610sa.pdf

PE610SAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 3m 62A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products In
Другие MOSFET... PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , IRLB4132 , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A .
History: AP75T10GP | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD
History: AP75T10GP | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70