PE616BA - описание и поиск аналогов

 

PE616BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE616BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE616BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE616BA даташит

 ..1. Size:429K  unikc
 pe616ba.pdf pdf_icon

PE616BA

PE616BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7m @VGS = 10V 30V 36A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 36 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 23 IDM 100 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:323K  niko-sem
 pe616ba.pdf pdf_icon

PE616BA

PE616BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 7m 36A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltag

Другие MOSFET... PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , AON7506 , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG .

History: HM2302F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.