PE616BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE616BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE616BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE616BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE616BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  unikc
 pe616ba.pdf pdf_icon

PE616BA

PE616BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7m @VGS = 10V30V 36APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C36IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C23IDM100Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:323K  niko-sem
 pe616ba.pdf pdf_icon

PE616BA

PE616BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 7m 36A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltag

Другие MOSFET... PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , 2N7002 , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG .

History: AP0603GH-HF | CI30N120SM | NCE0117 | TPC8073 | SJMN380R80ZB | IRF9358 | SSF1006

 

 
Back to Top

 


 
.