Справочник MOSFET. PE618DT

 

PE618DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE618DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE618DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE618DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  unikc
pe618dt.pdfpdf_icon

PE618DT

PE618DTDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7m @VGS = 10VQ2 30V 39A16m @VGS = 10VQ1 30V 23APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 30VVGSGate-Source Voltage 20 20TC = 25 C39 23IDContinuous Drain Current3TC

 ..2. Size:293K  niko-sem
pe618dt.pdfpdf_icon

PE618DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE618DTNIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 Q2 30V 7m 392,3,4 : D15,6,7 : S2 Q1 30V 16m 238 : G2 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 30 VGate-

 9.1. Size:502K  unikc
pe618ba.pdfpdf_icon

PE618DT

PE618BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 40APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20Tc = 25 C40IDContinuous Drain Current2Tc = 100 C25IDM100Pulsed Drain Current1

 9.2. Size:332K  niko-sem
pe618ba.pdfpdf_icon

PE618DT

N-Channel Enhancement Mode PE618BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 6m 40A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltag

Другие MOSFET... PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , IRF1407 , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.