PE618DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PE618DT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3S
Аналог (замена) для PE618DT
PE618DT Datasheet (PDF)
pe618dt.pdf

PE618DTDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7m @VGS = 10VQ2 30V 39A16m @VGS = 10VQ1 30V 23APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 30VVGSGate-Source Voltage 20 20TC = 25 C39 23IDContinuous Drain Current3TC
pe618dt.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PE618DTNIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 Q2 30V 7m 392,3,4 : D15,6,7 : S2 Q1 30V 16m 238 : G2 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 30 VGate-
pe618ba.pdf

PE618BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 40APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20Tc = 25 C40IDContinuous Drain Current2Tc = 100 C25IDM100Pulsed Drain Current1
pe618ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PE618BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 6m 40A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltag
Другие MOSFET... PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , IRF1407 , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU .
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg