PE632BA - описание и поиск аналогов

 

PE632BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE632BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE632BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE632BA даташит

 ..1. Size:456K  unikc
 pe632ba.pdf pdf_icon

PE632BA

PE632BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.5m @VGS = 10V 30V 53A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 53 Tc = 100 C 33 ID Continuous Drain Current2 TA = 25 C 15 A TA= 70

 ..2. Size:390K  niko-sem
 pe632ba.pdf pdf_icon

PE632BA

N-Channel Enhancement Mode PE632BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 4.5m 53A D D D D G G GATE D DRAIN S S SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Vol

Другие MOSFET... PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , TK10A60D , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU .

History: APM4012NU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.