PE632BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE632BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE632BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE632BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE632BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  unikc
 pe632ba.pdf pdf_icon

PE632BA

PE632BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.5m @VGS = 10V30V 53APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C53Tc = 100 C33IDContinuous Drain Current2TA = 25 C15ATA= 70

 ..2. Size:390K  niko-sem
 pe632ba.pdf pdf_icon

PE632BA

N-Channel Enhancement Mode PE632BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 4.5m 53A D D D DGG : GATE D : DRAIN S S : SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Vol

Другие MOSFET... PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , IRFZ24N , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU .

History: STP10N105K5 | IRF7831TR | CJPF07N65 | STP10N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.