APM3055L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APM3055L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO252 SOT223

Аналог (замена) для APM3055L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM3055L даташит

 ..1. Size:310K  anpec
apm3055l.pdfpdf_icon

APM3055L

APM3055L N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/12A, RDS(ON)=100m (max) @ VGS=10V RDS(ON)=200m (max) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design High Power and Current Handling Capability 1 2 3 1 2 3 TO-252 and SOT-223 Packages G D S G D S Applications Top View of TO-252 Top View

 0.1. Size:843K  cn vbsemi
apm3055luc.pdfpdf_icon

APM3055L

APM3055LUC www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABS

 8.1. Size:1441K  cn vbsemi
apm3054nuc.pdfpdf_icon

APM3055L

APM3054NUC www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABS

 9.1. Size:723K  anpec
apm3009n.pdfpdf_icon

APM3055L

APM3009N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/70A , RDS(ON)=7m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=11m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Advanced Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged 1 2 3 TO-220 , TO-252 and TO-263 Packages G D S Applications Top View of TO-220, TO

Другие IGBT... PE614DX, PE616BA, PE618BA, PE618DT, PE632BA, PE636BA, PE642DT, APM2318A, IRFP250, APM4008NG, APM4008NU, APM4010NU, APM4012NU, APM4015K, APM4015PU, APM4017PU, APM4018NU