Справочник MOSFET. IRF3415S

 

IRF3415S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF3415S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 200(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRF3415S

 

 

IRF3415S Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3205S , IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF9640 , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 .