Справочник MOSFET. APM4810K

 

APM4810K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM4810K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APM4810K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  anpec
apm4810k.pdfpdf_icon

APM4810K

APM4810KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/11A, RDS(ON) = 12m(typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =18m(typ.) @ VGS = 4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)Top View of SOP - 8( 5,6,7,8 )D D D DApplications Power Management in Notebook Computer,(4) Portable Equipment and Battery Powered

 8.1. Size:202K  anpec
apm4812k.pdfpdf_icon

APM4810K

APM4812KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/8A, RDS(ON)= 18m(typ.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 26m(typ.) @ VGS= 4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)Top View of SOP - 8D D D DApplications Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery PoweredGSystemsS S SN-C

 9.1. Size:206K  anpec
apm4820k.pdfpdf_icon

APM4810K

APM4820KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =12m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =18m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green Devices Available(5,6,7,8)D D D D(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen

 9.2. Size:156K  anpec
apm4835.pdfpdf_icon

APM4810K

APM4835 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-8A, RDS(ON) = 16m(typ.) @ VGS = -10VS 1 8 DRDS(ON) = 24m(typ.) @ VGS = -4.5VS 2 7 D Super High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8ApplicationsS S S Power Management in Notebook

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPD60R600C6 | SMG3400 | PHP191NQ06LT | 2SK958 | IRFZ44VPBF | SFF340C | PMCM4401VNE

 

 
Back to Top

 


 
.