Справочник MOSFET. IRF440

 

IRF440 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68.5(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 73(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRF440

 

 

IRF440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  international rectifier
irf440.pdf

IRF440
IRF440

PD - 90372AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF440500V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF440 500V 0.85 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

 ..2. Size:132K  njs
irf440 irf441 irf442 irf443.pdf

IRF440
IRF440

 9.1. Size:211K  international rectifier
irf4435.pdf

IRF440
IRF440

PD- 94243IRF4435HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -30V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-channel HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extremely low on-resistance persilicon ar

 9.2. Size:671K  nell
irf4410a irf4410h.pdf

IRF440
IRF440

RoHS IRF4410 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(97A, 100Volts)DESCRIPTION The Nell IRF4410 is a three-terminal silicon Ddevice with current conduction capability of 97A,Dfast switching speed, low on-state resistance,breakdown voltage rating of 100V ,and max. threshold voltage of 4 volts.G They are designed for use in application

 9.3. Size:822K  cn vbsemi
irf4435tr.pdf

IRF440
IRF440

IRF4435TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 D

 9.4. Size:229K  inchange semiconductor
irf441.pdf

IRF440
IRF440

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor IRF441FEATURESV Rated at 20VGSSilicon Gate for Fast Switching SpeedsI ,V ,SOA and V specified at ElevatedDSS DS(on) GS(th)temperatureRuggedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as

Другие MOSFET... IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , AON6380 , IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L , IRF4905S .

 

 
Back to Top