APM9968C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM9968C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
APM9968C Datasheet (PDF)
apm9968c.pdf
APM9968CN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=16m(typ.) @ VGS=4.5V D 1 8 DS1 2 7 S2RDS(ON)=20m(typ.) @ VGS=2.5VS1 3 6 S2 Super High Dense Cell Design for Extremely G1 4 5 G2Low RDS(ON) Reliable and RuggedTSSOP-8 TSSOP-8 PackagesD DApplicationsG1 G2
apm9968co.pdf
APM9968CODual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=16m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=20m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for ExtremelyLow RDS(ON) Reliable and Rugged TSSOP-8 PackagesTop View of TSSOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)
apm9966co.pdf
APM9966CODual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS(ON) =20m(typ.) @ VGS =4.5V RDS(ON) =25m(typ.) @ VGS =2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)Top View of TSSOP - 8(1) (8)D1 D2Applications(5)(4)G1 G2 P
apm9966.pdf
APM9966/CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Applications SOP-8 Power Management in Notebook Computer ,20V/6A , RDS(ON)=19m(typ.) @ VGS=4.5V Portable Equipment and Battery PoweredRDS(ON)=27m(typ.) @ VGS=2.5V Systems.TSSOP-820V/6A , RDS(ON)=21m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=29m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely
apm9966c.pdf
APM9966/CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Applications SOP-8 Power Management in Notebook Computer ,20V/6A , RDS(ON)=19m(typ.) @ VGS=4.5V Portable Equipment and Battery PoweredRDS(ON)=27m(typ.) @ VGS=2.5V Systems.TSSOP-820V/6A , RDS(ON)=21m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=29m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918