Справочник MOSFET. IRF451

 

IRF451 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF451
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRF451

 

 

IRF451 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  st
 irf450 irf451 irf452 irf453.pdf

IRF451 IRF451

 9.1. Size:144K  international rectifier
 2n6770 irf450.pdf

IRF451 IRF451

PD - 90330FREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF450 500V 0.400 12AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestS

 9.2. Size:56K  intersil
 irf450.pdf

IRF451 IRF451

IRF450Data Sheet March 1999 File Number 1827.313A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFET 13A, 500VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.400effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Ratedtested, and guaranteed to withstand a specified level ofenergy in the breakdown avalanche mode

 9.3. Size:409K  nell
 irf450b irf450c.pdf

IRF451 IRF451

RoHS IRF450 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET14A, 500VoltsDESCRIPTIOND The Nell IRF450 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 14A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

Другие MOSFET... IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 , AO3407 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L , IRF4905S , IRF510 , IRF510A .

 

 
Back to Top