SSS1N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

SSS1N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSS1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F TO251
 

 Аналог (замена) для SSS1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4013K  shenzhen
 sss1n60.pdf pdf_icon

SSS1N60

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60SSS1N60 600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been

 0.1. Size:213K  1
 sss1n60a.pdf pdf_icon

SSS1N60

 9.1. Size:215K  1
 sss1n50a.pdf pdf_icon

SSS1N60

Другие MOSFET... XP151A13AO , XP152A12CO , 20N06 , 60N03 , 70N03 , 90N03 , SSS10N60 , SSS12N60 , RU7088R , SSS2N60 , SSS5N60 , SSS7N60 , SSS8N60 , 1002 , 1115 , 1515 , G1601 .

 

 
Back to Top

 


 
.