SSS1N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSS1N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Аналог (замена) для SSS1N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSS1N60 даташит
sss1n60.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS1N60 SSS1N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 8.5 @VGS = 10 V transistors are produced using proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been
Другие MOSFET... XP151A13AO , XP152A12CO , 20N06 , 60N03 , 70N03 , 90N03 , SSS10N60 , SSS12N60 , IRFZ48N , SSS2N60 , SSS5N60 , SSS7N60 , SSS8N60 , 1002 , 1115 , 1515 , G1601 .
History: SSS12N60 | IRF840LPBF | 2302
History: SSS12N60 | IRF840LPBF | 2302
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent