Справочник MOSFET. 1402TR

 

1402TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 1402TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 1402TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1402TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2223K  goford
1402tr.pdfpdf_icon

1402TR

GOFORD1402TRN-Channel MOSFETSDESCRIPTIONVDSS RDS(ON) IDThe OGFD 1402TR uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS(ON)40V

Другие MOSFET... 03N06 , 05N06 , 100N03 , 100P03 , 10N03 , 110N10 , 11N10C , 120N03 , 12N60 , 1404TR , 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A .

History: 3SK104V | MTP10N10M

 

 
Back to Top

 


 
.