G1008 - описание и поиск аналогов

 

G1008. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1008

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для G1008

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1008 даташит

 ..1. Size:1907K  goford
 g1008.pdf pdf_icon

G1008

GOFORD G1008 Description The G1008 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 100V 110 8A m High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Marking

 0.1. Size:102K  renesas
 rej03g1008 2sk2329lsds.pdf pdf_icon

G1008

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... 1404TR , 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , SPP20N60C3 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 .

History: 05N06 | 120N03 | G1003A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.