15P03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 15P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для 15P03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
15P03 даташит
15p03.pdf
GOFORD 15P03 Description The 15P03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @ -4.5V -10V (Typ) m m -15 -30V 14 10 A High Power and cur
hy15p03c2.pdf
HY15P03C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D -30V/-60A RDS(ON)= 4.8m (typ.) @VGS =-10V RDS(ON)= 6.8m (typ.) @VGS =-4.5V Reliable and Rugged Halogen Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Networking DC-DC Powe
Другие MOSFET... G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 , G1825 , 2SK3568 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 2301H , 2301L .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor












