Справочник MOSFET. 21N06

 

21N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 21N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 21N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

21N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1420K  goford
21n06.pdfpdf_icon

21N06

GOFORD 21N06DESCRIPTION The 21N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDSS R DS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) 60V 24 m 21 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage and current

 0.1. Size:113K  philips
phd21n06lt.pdfpdf_icon

21N06

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP21N06LT, PHB21N06LT Logic level FET PHD21N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 19 A Logic level compatibleRDS(ON) 75 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 70 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTION

 0.2. Size:56K  philips
phb21n06t 1.pdfpdf_icon

21N06

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB21N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 21 Atrench technology the devic

 0.3. Size:52K  philips
php21n06t.pdfpdf_icon

21N06

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP21N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 21 Afeatures very low on-state r

Другие MOSFET... G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 7N60 , 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , 28P55 .

History: AOL1454G | PE614DX | AO4454

 

 
Back to Top

 


 
.