IRF520N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF520N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF520N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF520N даташит

 ..1. Size:116K  international rectifier
 irf520n.pdf pdf_icon

IRF520N

PD - 91339A IRF520N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.20 Fully Avalanche Rated G Description ID = 9.7A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benef

 ..2. Size:173K  international rectifier
 irf520npbf.pdf pdf_icon

IRF520N

PD - 94818 IRF520NPbF HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.20 Fully Avalanche Rated G Lead-Free Description ID = 9.7A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon are

 ..3. Size:1501K  cn vbsemi
 irf520npbf.pdf pdf_icon

IRF520N

IRF520NPBF www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.092 at VGS = 10 V 100 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE M

 ..4. Size:245K  inchange semiconductor
 irf520n.pdf pdf_icon

IRF520N

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF520N IIRF520N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.2 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF510A, IRF510S, IRF511, IRF512, IRF513, IRF520, IRF520A, IRF520FI, IRF730, IRF520NS, IRF521, IRF5210, IRF5210L, IRF5210S, IRF522, IRF523, IRF530