G3710 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: G3710
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 665.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для G3710
G3710 Datasheet (PDF)
g3710.pdf

GOFORDG3710Description Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 21m 59 A100V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application UPS Inverter Electric tools High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Dra
Другие MOSFET... 68P40 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , G3205 , G1010 , IRFP064N , 5N20A , 630A , 640 , 18N20 , 18N20A , 2N25 , 3N25 , 740 .
History: NCEP6090GU | IPN95R3K7P7 | IRFU7540PBF | 2SK3095LS | FQP5N20L | TSM6N50CI | APT34F60B
History: NCEP6090GU | IPN95R3K7P7 | IRFU7540PBF | 2SK3095LS | FQP5N20L | TSM6N50CI | APT34F60B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a