Справочник MOSFET. G3710

 

G3710 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G3710
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для G3710

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G3710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1709K  goford
 g3710.pdf pdf_icon

G3710

GOFORDG3710Description Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 21m 59 A100V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application UPS Inverter Electric tools High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Dra

Другие MOSFET... 68P40 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , G3205 , G1010 , IRFP064N , 5N20A , 630A , 640 , 18N20 , 18N20A , 2N25 , 3N25 , 740 .

History: CSFR3N60LP

 

 
Back to Top

 


 
.