IRF521 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF521  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF521

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF521 даташит

 0.1. Size:310K  international rectifier
 irf5210lpbf irf5210spbf.pdf pdf_icon

IRF521

PD - 97049B IRF5210SPbF IRF5210LPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = -100V l 150 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 60m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Some Parameters are Different from IRF5210S/L ID = -38A S l P-Channel l Lead-Free D D Description Features of this design are a 150 C

 0.2. Size:125K  international rectifier
 irf5210.pdf pdf_icon

IRF521

PD - 91434A IRF5210 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = -100V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.06 Fast Switching G P-Channel ID = -40A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

 0.3. Size:189K  international rectifier
 irf5210pbf.pdf pdf_icon

IRF521

PD - 95408 IRF5210PbF l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.06 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID = -40A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achi

 0.4. Size:186K  international rectifier
 irf5210s.pdf pdf_icon

IRF521

PD - 91405C IRF5210S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF5210S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF5210L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.06 Fast Switching G P-Channel ID = -40A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF511, IRF512, IRF513, IRF520, IRF520A, IRF520FI, IRF520N, IRF520NS, IRF3205, IRF5210, IRF5210L, IRF5210S, IRF522, IRF523, IRF530, IRF5305, IRF5305L