Справочник MOSFET. G8N80BF

 

G8N80BF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: G8N80BF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для G8N80BF

 

 

G8N80BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3382K  goford
g8n80bf.pdf

G8N80BF
G8N80BF

GOFORDG8N80BFTO-220FPage 1HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 2HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 3HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 4HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORD

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top