12N65AF - описание и поиск аналогов

 

12N65AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 12N65AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 12N65AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12N65AF даташит

 ..1. Size:1107K  goford
12n65a 12n65af.pdfpdf_icon

12N65AF

12N65A/12N65AF GOFORD Description Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 12A 650V 0.65 Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application Active power factor correction Uninterruptible Power Supply (UPS) Electronic lamp ballasts Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Symbol Parameter TO-220

 0.1. Size:125K  jdsemi
cm12n65af.pdfpdf_icon

12N65AF

 8.1. Size:123K  jdsemi
cm12n65a to220a.pdfpdf_icon

12N65AF

R CM12N65A www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 3

 8.2. Size:541K  belling
bl12n65a-p bl12n65a-a.pdfpdf_icon

12N65AF

BL12N65A Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL12N65A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

Другие MOSFET... 6N70F , 7N80F , 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , IRF9540 , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.