Справочник MOSFET. SVD2N60D

 

SVD2N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVD2N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252-2L
 

 Аналог (замена) для SVD2N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD2N60D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:603K  silan
 svd2n60.pdf pdf_icon

SVD2N60D

SVD2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior s

Другие MOSFET... G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , IRF4905 , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 , 2SK725 , 2SK793 , 2SK1363 , 2SK2196 .

History: RJK1052DPB | IPD230N06LG | HTD350C04 | AOW66616 | BL90N25-F | SSF3055 | SVG086R0NL5TR

 

 
Back to Top

 


 
.