2SK3674-01S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3674-01S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 2SK3674-01S
2SK3674-01S Datasheet (PDF)
2sk3674-01s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3674-01SFEATURESDrain Current : I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so
2sk3674-01sj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3674-01SJFEATURESDrain Current : I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s
2sk3674-01l-s-sj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SK3674-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings [mm]Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsP4Switching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl
2sk3674-01l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3674-01LFEATURESDrain Current : I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .