FTK830I - описание и поиск аналогов

 

FTK830I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK830I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для FTK830I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK830I даташит

 8.1. Size:262K  first silicon
 ftk830 ftk830p f d i.pdf pdf_icon

FTK830I

SEMICONDUCTOR FTK830P / F / D / I TECHNICAL DATA Power MOSFET 5A, 500V, 1.5 , N-CHANNEL POWER MOSFET I 1 TO - 251 DESCRIPTION D 1 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET TO - 252 is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. P 1 TO - 220

Другие MOSFET... FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A , FTK830P , FTK830F , IRFB31N20D , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D , FTK7N60DD , FTK7N60F , FTK7N60P .

History: CJE3134K | FDBL9406F085 | STF12N120K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.