FTK7N60DD - описание и поиск аналогов

 

FTK7N60DD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK7N60DD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FTK7N60DD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK7N60DD даташит

 7.1. Size:247K  first silicon
 ftk7n60p f dd.pdf pdf_icon

FTK7N60DD

SEMICONDUCTOR FTK7N60P / F / DD TECHNICAL DATA Power MOSFET 7.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The FTK 7N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed F s

 8.1. Size:578K  first silicon
 ftk7n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK7N60DD

SEMICONDUCTOR FTK7N65P/F/DD TECHNICAL DATA 7.0 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pulse

Другие MOSFET... FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D , IRF830 , FTK7N60F , FTK7N60P , FTK7N65P , FTK7N65F , FTK7N65DD , FTK75N75 , FTK10N65DD , FTK10N65F .

History: CJE3134K | STF12N120K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.