Справочник MOSFET. FTK7N60F

 

FTK7N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK7N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FTK7N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK7N60F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:247K  first silicon
 ftk7n60p f dd.pdf pdf_icon

FTK7N60F

SEMICONDUCTORFTK7N60P / F / DDTECHNICAL DATAPower MOSFET7.0 Amps, 600 VoltsN-CHANNEL MOSFET P :1DESCRIPTIONTO-220The FTK 7N60 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speedF :s

 8.1. Size:578K  first silicon
 ftk7n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK7N60F

SEMICONDUCTORFTK7N65P/F/DDTECHNICAL DATA7.0 Amps, 650 VoltsN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superiorTO-220switching performance,and Withstand high energy pulse

Другие MOSFET... FTK830F , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D , FTK7N60DD , 60N06 , FTK7N60P , FTK7N65P , FTK7N65F , FTK7N65DD , FTK75N75 , FTK10N65DD , FTK10N65F , FTK10N65P .

History: BVSS84L | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | SM6536D1RL | AP4501GSD | AOB9N70L | APT8011JFLL

 

 
Back to Top

 


 
.