Справочник MOSFET. FTK7N65DD

 

FTK7N65DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK7N65DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK7N65DD Datasheet (PDF)

 7.1. Size:578K  first silicon
 ftk7n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK7N65DD

SEMICONDUCTORFTK7N65P/F/DDTECHNICAL DATA7.0 Amps, 650 VoltsN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superiorTO-220switching performance,and Withstand high energy pulse

 8.1. Size:247K  first silicon
 ftk7n60p f dd.pdf pdf_icon

FTK7N65DD

SEMICONDUCTORFTK7N60P / F / DDTECHNICAL DATAPower MOSFET7.0 Amps, 600 VoltsN-CHANNEL MOSFET P :1DESCRIPTIONTO-220The FTK 7N60 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speedF :s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.