Справочник MOSFET. FTK6401

 

FTK6401 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTK6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для FTK6401

 

 

FTK6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  first silicon
 ftk6401.pdf

FTK6401 FTK6401

SEMICONDUCTORFTK6401TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

 8.1. Size:338K  first silicon
 ftk640p f.pdf

FTK6401 FTK6401

SEMICONDUCTORFTK640P / FTECHNICAL DATA19.4A, 200V, 0.18 , N-CHANNELPOWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 19.4A, 200V, Low RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top