FTK640F - описание и поиск аналогов

 

FTK640F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK640F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FTK640F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK640F даташит

 8.1. Size:287K  first silicon
 ftk6401.pdf pdf_icon

FTK640F

SEMICONDUCTOR FTK6401 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

 8.2. Size:338K  first silicon
 ftk640p f.pdf pdf_icon

FTK640F

SEMICONDUCTOR FTK640P / F TECHNICAL DATA 19.4A, 200V, 0.18 , N-CHANNEL POWER MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. F 1 TO-220F FEATURES * 19.4A, 200V, Low RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK7510 , FTK7510F , FTK7510P , FTK6014 , FTK6014A , FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , IRF3710 , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D .

History: NTD80N02T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.