Справочник MOSFET. FTK5N80DD

 

FTK5N80DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK5N80DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FTK5N80DD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK5N80DD Datasheet (PDF)

 7.1. Size:616K  first silicon
 ftk5n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK5N80DD

SEMICONDUCTORFTK5N80P/D/DDTECHNICAL DATA5.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FETDESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superior TO-220switching performance,and Withstand high energy pulsein

 9.1. Size:338K  first silicon
 ftk5n50d.pdf pdf_icon

FTK5N80DD

SEMICONDUCTORFTK5N50DTECHNICAL DATA4.4A, 500V, 1.5 A KDIM MILLIMETERSLC D_A 6 60 + 0 20N-CHANNEL POWER MOSFET_B 6 10 + 0 20_C 5 34 + 0 30_D 0 70 + 0 20_E 2 70 0 15+B_+F 2 30 0 10G 0 96 MAXH 0 90 MAXHJ_J 1 80 + 0 20DESCRIPTIONE_K 2 30 + 0 10G N_L 0 50 0 10+F F M _+M 0 50 0 10 FTK5N50D is 500V High voltage N-Chan

Другие MOSFET... FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , FTK55P30D , FTK5903DC , FTK5N50D , 5N60 , FTK5N80F , FTK5N80P , FTK50N03D , FTK50N06P , FTK1206 , FTK1208 , FTK1216 , FTK12N10S .

History: HM4260 | TMD5N40ZG | DH0159F | ME7170-G | FDD4243F085 | IRFPF30PBF

 

 
Back to Top

 


 
.