FTK5N80F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK5N80F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FTK5N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK5N80F даташит

 7.1. Size:616K  first silicon
 ftk5n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK5N80F

SEMICONDUCTOR FTK5N80P/D/DD TECHNICAL DATA 5.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pulse in

 9.1. Size:338K  first silicon
 ftk5n50d.pdf pdf_icon

FTK5N80F

SEMICONDUCTOR FTK5N50D TECHNICAL DATA 4.4A, 500V, 1.5 A K DIM MILLIMETERS L C D _ A 6 60 + 0 20 N-CHANNEL POWER MOSFET _ B 6 10 + 0 20 _ C 5 34 + 0 30 _ D 0 70 + 0 20 _ E 2 70 0 15 + B _ + F 2 30 0 10 G 0 96 MAX H 0 90 MAX H J _ J 1 80 + 0 20 DESCRIPTION E _ K 2 30 + 0 10 G N _ L 0 50 0 10 + F F M _ + M 0 50 0 10 FTK5N50D is 500V High voltage N-Chan

Другие IGBT... FTK50N06DD, FTK50N06F, FTK50N10P, FTK50P03PDFN56, FTK55P30D, FTK5903DC, FTK5N50D, FTK5N80DD, AO3401, FTK5N80P, FTK50N03D, FTK50N06P, FTK1206, FTK1208, FTK1216, FTK12N10S, FTK12N65DD