Справочник MOSFET. FTK1N60I

 

FTK1N60I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK1N60I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FTK1N60I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK1N60I Datasheet (PDF)

 7.1. Size:220K  first silicon
 ftk1n60t-l.pdf pdf_icon

FTK1N60I

SEMICONDUCTORFTK1N60T/LTECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsN-CHANNEL MOSFETDESCRIPTIONThe FTK 1N60T/L is a high voltage MOSFET and is designed to1have better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheT : TO-92characteristics. This power MOSFET is usually used at high speedswitching app

 7.2. Size:288K  first silicon
 ftk1n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK1N60I

SEMICONDUCTORFTK1N60P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

Другие MOSFET... FTK12N65P , FTK138 , FTK138D , FTK138U , FTK15N10D , FTK1N60P , FTK1N60F , FTK1N60D , 20N50 , FTK1N60T , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F , FTK2N60I , FTK2N60P , FTK2N65D , FTK2N65F .

History: PSMN5R0-100PS | IRFS621 | AFN08N50T220T | MMQ60R115PTH | IRF540ZSPBF | VBE1638

 

 
Back to Top

 


 
.