FTK2N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK2N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FTK2N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2N60F даташит

 7.1. Size:295K  first silicon
 ftk2n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N60F

SEMICONDUCTOR FTK2N60P / F / D / I TECHNICAL DATA 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET I 1 TO - 251 DESCRIPTION The FTK 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to D have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1 TO - 252 charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high sp

 8.1. Size:340K  first silicon
 ftk2n65p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N60F

SEMICONDUCTOR FTK2N65P / F / D / I TECHNICAL DATA 2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect Transistors are produced using planar stripe, DMOS I technology. 1 This advanced technology has been especially tailored TO - 251 to minimize on - state resistance , provide superior switching performance,and Withstand high energy

Другие IGBT... FTK15N10D, FTK1N60P, FTK1N60F, FTK1N60D, FTK1N60I, FTK1N60T, FTK1N60L, FTK2N60D, BS170, FTK2N60I, FTK2N60P, FTK2N65D, FTK2N65F, FTK2N65I, FTK2N65P, FTK4N60D, FTK4N60F