Справочник MOSFET. FTK2816E

 

FTK2816E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK2816E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2816E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  first silicon
ftk2816e.pdfpdf_icon

FTK2816E

SEMICONDUCTORFTK2816ETECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK2816E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HRLO72N06 | FDSS2407 | SRT15N110HTC | 2SJ601-Z | IRFI840G | FTK5N80DD | SJMN600R70ZF

 

 
Back to Top

 


 
.