FTK2816E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK2816E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для FTK2816E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2816E даташит

 ..1. Size:283K  first silicon
 ftk2816e.pdf pdf_icon

FTK2816E

SEMICONDUCTOR FTK2816E TECHNICAL DATA DESCRIPTION The FTK2816E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

Другие IGBT... FTK2306A, FTK2310, FTK2312, FTK2324, FTK2333, FTK2341E, FTK25N03PDFN33, FTK2627, AOD4184A, FTK3004D, FTK3018, FTK3022, FTK3051, FTK3134K, FTK3134KD, FTK3139K, FTK3341