Справочник MOSFET. FTK2816E

 

FTK2816E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK2816E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для FTK2816E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2816E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  first silicon
 ftk2816e.pdf pdf_icon

FTK2816E

SEMICONDUCTORFTK2816ETECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK2816E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK2306A , FTK2310 , FTK2312 , FTK2324 , FTK2333 , FTK2341E , FTK25N03PDFN33 , FTK2627 , HY1906P , FTK3004D , FTK3018 , FTK3022 , FTK3051 , FTK3134K , FTK3134KD , FTK3139K , FTK3341 .

History: 2SK2257 | HGP115N15S | CS150N04A8 | SI1050X | AP20N15AGH | 18N20 | APT6038BFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.