FTK2816E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FTK2816E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FTK2816E Datasheet (PDF)
ftk2816e.pdf

SEMICONDUCTORFTK2816ETECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK2816E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HRLO72N06 | FDSS2407 | SRT15N110HTC | 2SJ601-Z | IRFI840G | FTK5N80DD | SJMN600R70ZF
History: HRLO72N06 | FDSS2407 | SRT15N110HTC | 2SJ601-Z | IRFI840G | FTK5N80DD | SJMN600R70ZF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n