Справочник MOSFET. FTK3341

 

FTK3341 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK3341
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для FTK3341

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK3341 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  first silicon
 ftk3341.pdf pdf_icon

FTK3341

SEMICONDUCTOR FTK3341TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK3341 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable Gfor use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.2A RDS(ON)

 0.1. Size:377K  first silicon
 ftk3341l.pdf pdf_icon

FTK3341

SEMICONDUCTOR FTK3341TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK3341 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable Gfor use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.2A RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK2816E , FTK3004D , FTK3018 , FTK3022 , FTK3051 , FTK3134K , FTK3134KD , FTK3139K , IRF740 , FTK3400 , FTK3401 , FTK3404 , FTK3407 , FTK3407L , FTK3415 , FTK3415L , FTK3439KD .

History: STF13N60M2 | HGN028NE6AL | SI7491DP | SIHFD014 | CS7456 | IXTQ44P15T

 

 
Back to Top

 


 
.