Справочник MOSFET. FTK35N03PDFN33

 

FTK35N03PDFN33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK35N03PDFN33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK35N03PDFN33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  first silicon
 ftk35n03pdfn33.pdf pdf_icon

FTK35N03PDFN33

SEMICONDUCTORFTK35N03PDFN33TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION PDFN3.33.3-8L The FTK35N03PDFN33 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully char

 8.1. Size:668K  first silicon
 ftk35n33pdfn56.pdf pdf_icon

FTK35N03PDFN33

SEMICONDUCTORFTK35N03PDFN56TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFETPDFN56-8L DESCRIPTION The FTK35N03PDFN56 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully characte

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: H5N2505DL | IPP60R280P6 | 2SK2531 | SLF60R160S2 | UPA1770G | SW1N60C | RU1HP60R

 

 
Back to Top

 


 
.