FTK3615. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK3615

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTK3615

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK3615 даташит

 ..1. Size:211K  first silicon
 ftk3615.pdf pdf_icon

FTK3615

SEMICONDUCTOR FTK3615 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK3615 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram D D D D GENERAL FEATURES 5 8 6 7 VDS = - 30V,ID = -10A 3615 RDS(ON)

 8.1. Size:345K  first silicon
 ftk3610.pdf pdf_icon

FTK3615

SEMICONDUCTOR FTK3610 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTF3610 uses advanced trench G technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in S PWM applications. Schematic diagram D D D D 6 5 GENERAL FEATURES 8 7 VDS = 30V,ID =11A 3610 RDS(ON)

 9.1. Size:425K  first silicon
 ftk3620.pdf pdf_icon

FTK3615

SEMICONDUCTOR FTK3620 TECHNICAL DATA DESCRIPTION D 1 D 2 The FTK3620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is G 1 G 2 suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2 Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D 2 D 2 VDS = 30V,ID =7A 6 5 8 7 RDS(ON)

Другие IGBT... FTK3407L, FTK3415, FTK3415L, FTK3439KD, FTK3443, FTK35N03PDFN33, FTK35N03PDFN56, FTK3610, IRFP260N, FTK3620, FTK3N80I, FTK3N80D, FTK3N80P, FTK3N80F, FTK4004, FTK4015D, FTK40N10D