Справочник MOSFET. DMG2307L

 

DMG2307L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG2307L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMG2307L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG2307L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  diodes
dmg2307l.pdfpdf_icon

DMG2307L

DMG2307LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 90m @ VGS = -10V -3.8A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) -30V 134m @ VGS = -4.5V -3.1A

 ..2. Size:123K  tysemi
dmg2307l.pdfpdf_icon

DMG2307L

Product specificationDMG2307LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 90m @ VGS = -10V -3.8A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) -30V 134m @ VGS = -4.5V -3.1A Qualified to AEC-Q10

 ..3. Size:1478K  cn vbsemi
dmg2307l.pdfpdf_icon

DMG2307L

DMG2307Lwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23

 8.1. Size:419K  diodes
dmg2302uq.pdfpdf_icon

DMG2307L

DMG2302UQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 90m @ VGS = 4.5V 4.2A Low Input/Output Leakage 20V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 120m @ VGS = 2.5V 2.7A Halogen and Antimony Free. Green Device

Другие MOSFET... BSR202N , BSR302N , BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , IRFZ24N , DMG3401LSN , DMG3407SSN , DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G .

History: DMT10N60 | UPA2709GR | STP110N8F7 | SWI1N60 | AP10N10K

 

 
Back to Top

 


 
.