DMN3110S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMN3110S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для DMN3110S
DMN3110S Datasheet (PDF)
dmn3110s.pdf

DMN3110SN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 73m @ VGS = 10V 3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 30V 110m @ VGS = 4.5V 2.7A Quali
dmn3110s.pdf

Product specificationDMN3110S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID maxV(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 73m @ VGS = 10V 3.3A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) 30V 110m @ VGS = 4.5V 2.7A Qualified to AEC-Q101 sta
dmn3110lcp3.pdf

DMN3110LCP3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Qg & Qgd BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Small Footprint Low Profile 0.30mm Height 69m @ VGS = 8V 3.2A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 80m @ VGS = 4.5V 3.0A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description Mecha
dmn3112sss.pdf

DMN3112SSSSINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOP-8L 57m @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 112m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Другие MOSFET... BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN , DMN2041L , STF13NM60N , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , PMV33UPE .
History: AO4604 | PSMN3R3-80ES | AO4600 | 2SK1068 | SI4953 | ST2305A | WMO10N65EM
History: AO4604 | PSMN3R3-80ES | AO4600 | 2SK1068 | SI4953 | ST2305A | WMO10N65EM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent