DMN3110S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMN3110S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39.9 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для DMN3110S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMN3110S даташит
dmn3110s.pdf
DMN3110S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 73m @ VGS = 10V 3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 30V 110m @ VGS = 4.5V 2.7A Quali
dmn3110s.pdf
Product specification DMN3110S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 73m @ VGS = 10V 3.3A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) 30V 110m @ VGS = 4.5V 2.7A Qualified to AEC-Q101 sta
dmn3110lcp3.pdf
DMN3110LCP3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Qg & Qgd BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 C Small Footprint Low Profile 0.30mm Height 69m @ VGS = 8V 3.2A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 80m @ VGS = 4.5V 3.0A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description Mecha
dmn3112sss.pdf
DMN3112SSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOP-8L 57m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 112m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D
Другие MOSFET... BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN , DMN2041L , IRFP250 , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , PMV33UPE .
History: 2SK4146-S19-AY | WMK053NV8HGS | IRF843FI | 2SK693 | 2SK776 | KX120N06 | 2SK610
History: 2SK4146-S19-AY | WMK053NV8HGS | IRF843FI | 2SK693 | 2SK776 | KX120N06 | 2SK610
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent







