PMV170UN - аналоги и даташиты транзистора

 

PMV170UN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMV170UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.325 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV170UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV170UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  tysemi
 pmv170un.pdf pdf_icon

PMV170UN

Product specificationPMV170UN20 V, single N-channel Trench MOSFET3 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching

Другие MOSFET... DMG3407SSN , DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , IRFZ46N , PMV185XN , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 .

History: JCS4N90FA | IRF7313 | TK28V65W | PSMN5R0-80PS | CEB09N7G | SIR172ADP | GT1003B

 

 
Back to Top

 


 
.