PMV170UN - описание и поиск аналогов

 

PMV170UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV170UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.325 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для PMV170UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV170UN даташит

 ..1. Size:204K  tysemi
 pmv170un.pdf pdf_icon

PMV170UN

Product specification PMV170UN 20 V, single N-channel Trench MOSFET 3 August 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching

Другие MOSFET... DMG3407SSN , DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , SI2302 , PMV185XN , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 .

History: CS4N65A3R | IRFI4228 | STP6N25FI | 4N60G | DMN63D8L | DMN3009LFVW-7 | SM1A23NSK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.