PMV50UPE - описание и поиск аналогов

 

PMV50UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV50UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для PMV50UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV50UPE даташит

 ..1. Size:721K  nxp
 pmv50upe.pdf pdf_icon

PMV50UPE

PMV50UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 20 July 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 3 kV ESD protected Trench MOSFET technology Low threshold voltage

 ..2. Size:361K  tysemi
 pmv50upe.pdf pdf_icon

PMV50UPE

 9.1. Size:251K  nxp
 pmv50xp.pdf pdf_icon

PMV50UPE

PMV50XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 19 November 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power

Другие MOSFET... DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , PMV33UPE , 20N50 , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 , WNM2034 .

History: S-LBSS138WT1G | VS4620DP-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.