Справочник MOSFET. WNM2025

 

WNM2025 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM2025
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WNM2025

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM2025 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  tysemi
wnm2025.pdfpdf_icon

WNM2025

Product specificationWNM2025 Single N-Channel, 20V, 3.9 A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ()0.027@ VGS=4.5V20 0.031@ VGS=2.5V0.036@ VGS=1.8VSOT-23-3L Descriptions D 3 The WNM2025 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in 1 2

 8.1. Size:909K  willsemi
wnm2024.pdfpdf_icon

WNM2025

WNM2024 WNM2024 Single N-Channel, 20V, 3.9A, Power MOSFET Http://www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ()0.027@ VGS=4.5V20 0.031@ VGS=2.5V0.036@ VGS=1.8VSOT-23 Descriptions D 3 The WNM2024 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for us

 8.2. Size:440K  willsemi
wnm2020.pdfpdf_icon

WNM2025

WNM2020WNM2020Http://www.sh-willsemi.com N-Channel, 20V, 0.90A, Small Signal MOSFET VDS (V) Rds(on) ( )D0.220@ VGS=4.5V20 0.260@ VGS=2.5VS0.320@ VGS=1.8VGSOT-23 DescriptionsThe WNM2020 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) Dwith low gate charge. This device is suitable for

 8.3. Size:502K  willsemi
wnm2021.pdfpdf_icon

WNM2025

WNM2021WNM2021Http://www.sh-willsemi.com N-Channel, 20V, 0.89A, Small Signal MOSFET VDS (V) Rds(on) ( ) 0.220@ VGS=4.5VD20 0.260@ VGS=2.5VS0.320@ VGS=1.8VGSOT-323 DescriptionsDThe WNM2021 is N-Channel enhancement MOS 3Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable

Другие MOSFET... PMV185XN , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , K2611 , WNM2027 , WNM2034 , XP151A11B0MR , XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 .

History: WFP70N06T | SUP90N08-6M8P | 2SK1471 | TPCA8075 | TN0110 | 2SK4145-S19-AY | 2SK3134

 

 
Back to Top

 


 
.