CM10N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CM10N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO220A
Аналог (замена) для CM10N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CM10N60 даташит
cm10n60f.pdf
R CM10N60F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1
cm10n60az.pdf
R CM10N60AZ www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2
Другие MOSFET... WNM2034 , XP151A11B0MR , XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , IRF830 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852